vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 20a 500V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET F20N50

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

20A 500V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET F20N50

20A 500V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET
Razpoložljivost:
Količina:

20A 500V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET


1 opis

Te silicijeve N-kanal, okrepljene z VDMOSFET-ji, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti 

● Hitro preklapljanje 

● Nizko od upora (rdson≤0,3Ω) 

● Nizka naboj vrat (Typ: 52NC) 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 16PF)

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom

● 100% ΔVDS test 


3 aplikacije

● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.

● Vklopno stikalo Adapterja in polnilnika.


VDS  Rds (on) (typ) Id 
500V 0,24Ω 20a



Prejšnji: 
Naslednji: 
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«