20A 500V N-channel وضع التحسين الطاقة MOSFET F20N50

20A 500V N-channel وضع تحسين الطاقة MOSFET

1 الوصف

يتم الحصول على vdmosfets المعززة بقناة N السيليكونية هذه من خلال تقنية المستوي ذاتية المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي. والذي يتوافق مع معيار RoHS. 

2 الميزات 

● التبديل السريع 

● مقاومة منخفضة (Rdson≥0.3Ω) 

● شحن البوابة منخفض (النوع: 52nC) 

● سعات نقل عكسي منخفضة (النوع: 16pF)

● اختبار طاقة الانهيار الجليدي بنبضة واحدة بنسبة 100%

● اختبار ΔVDS بنسبة 100% 

3 تطبيقات

● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.

● دائرة تبديل الطاقة للمحول والشاحن.

VDSS	RDS(على)(TYP)	بطاقة تعريف
500 فولت	0.24 أوم	20 أ