portë
Jiangsu Donghai Gjysmëpërçues Co, Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produkte » » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 20A 500V N-Channel Modaliteti i Përmirësimit të Fuqisë MOSFET F20N50

ngarkesë

Ndajnë në:
Butoni i Ndarjes në Facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
Butoni i Ndarjes WeChat
Butoni i Ndarjes së LinkedIn
butoni i ndarjes së pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Butoni i Ndarjes së Sharethis

20A 500V N-Channel Enhancimment Mode Fuqia MOSFET F20N50

20A 500V N-channel Enhancimment Modaliteti i Fuqisë MOSFET
Disponueshmëria:
Sasia:

20A 500V N-Channel Mode Enhancimment Mode MOSFET


1 Përshkrimi

Këto VDMOSFET të përmirësuar me kanal silikoni, merren nga teknologjia planare e vetë-lidhur e cila zvogëlon humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe përmirëson energjinë e ortekut. Që përputhet me standardin ROHS. 


2 tipare 

● Kalimi i shpejtë 

● Rezistencë e ulët (Rdson≤0.3Ω) 

Charge ngarkesë e ulët e portës (Tipi: 52NC) 

Cap Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Tipi: 16pf)

Test 100% Pulse Pulse Test i Energjisë së Avalanche

Test 100% ΔVDS 


3 aplikime

● Përdoret në qark të ndryshëm ndërrimi të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitetin më të lartë.

Circuit Circuit Switch Energjia e Adapterit dhe Karikuesit.


VDSS  Rds (on) (tip) Edhull 
500V 0.24Ω 20A



I mëparshmi: 
Tjetra: 
  • Regjistrohuni për gazetën tonë
  • Bëhuni gati për e ardhshëm për gazetën tonë për të marrë azhurnime direkt në kutinë tuaj
    regjistrimin