20A 500V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET F20N50

20A 500V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET

1 Descriere

Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal în siliciu, este obținută prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduc pierderea de conducere, îmbunătățesc performanța de comutare și îmbunătățesc energia de avalanșă. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 

2 caracteristici 

● comutare rapidă 

● Rezistență scăzută (RDSON≤0.3Ω) 

● Încărcare scăzută a porții (TIP: 52NC) 

● Capacități de transfer invers scăzut (TYP: 16PF)

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă

● Test 100% ΔVDS 

3 aplicații

● Folosit în diverse circuit de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.

● Circuitul comutatorului de alimentare a adaptorului și încărcătorului.