Доступность: | |
---|---|
Количество: | |
13n50
WXDH
13n50
До-220c
500 В.
13а
13A 500 В n-канальный режим режима мощности
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,45 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 40NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 11pf)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
500 В. | 0,35 Ом | 13а |
13A 500 В n-канальный режим режима мощности
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (rdson≤0,45 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 40NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 11pf)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
500 В. | 0,35 Ом | 13а |