13A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 13N50 TO-220C

13A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

● Comutação rápida 

● Capacidade aprimorada de ESD

● Baixa resistência (rdson≤0,45Ω) 

● Baixa carga do portão (Tip: 40NC) 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (Typ: 11pf) 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 

3 aplicações 

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de troca de energia do reator de elétrons e adaptador.