ရရှိမှု - | |
---|---|
အရေအတွက် - အရေအတွက်: | |
13n50
wxdh
13n50
to-220c
500V
13a
13a 500V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.45ω)
●ဂိတ်အနိမ့်ဆုံး (Typ: 40NC)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 11PF)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။
VDSs | RDS (အပေါ်) | သတ် |
500V | 0.35 ω | 13a |
13a 500V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet Mosfet
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel ကိုတိုးမြှင့် vdomosfets များကို Self-Aligned Planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိသော Self-alignal loss loss သည် switching performance ကိုတိုးတက်စေရန်နှင့်ပြိုလဲစွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
●မြန်ဆန်စွာ switching
● ESD တိုးတက်လာသောစွမ်းရည်
●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.45ω)
●ဂိတ်အနိမ့်ဆုံး (Typ: 40NC)
●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 11PF)
● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု
3
● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။
●အီလက်ထရွန်လှေနှင့် adapter ၏ power switch condit ။
VDSs | RDS (အပေါ်) | သတ် |
500v | 0.35 ω | 13a |