13A 500V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET 13N50 TO-220C

13A 500V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planarum auto-aligna facta, quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features 

Fast commutatione 

ESD melius facultatem

Minimum resistente (Rdson≤0.45Ω) 

Minimum crimen (Typ: 40nC) 

Minimum contra capacitates translationis (Typ: 11pF) 

C% unius pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
500V	0.35 Ω	13A