F10N70

10A 700V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab

juhtivuse kadu, parandada lülitusjõudlust ja suurendada laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime

● Madal takistus (Rdson≤1,2Ω)

● Värava madal laetus (tüüp: 34nC)

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 6,2 pF)

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused

● Kasutatakse mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.

● Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
700V	0,96Ω	10A