F10N70

ຮູບແບບການປັບປຸງ Moto 1000V N-channel-channel-channel mosfet

1

Silicon N-channel ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ vdmosfets ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງທີ່ຫຼຸດລົງ

ການສູນເສຍການຍ່ອຍສະຫຼາຍ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການປ່ຽນແປງແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານທີ່ເຫົບ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs.

2 ລັກສະນະ

●ສະຫຼັບໄວ

● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ

●ຕ່ໍາໃນການຕໍ່ຕ້ານ (rdson≤1.2ω)

at ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (ປະເພດ: 34nc)

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຫນ້ອຍ (ປະເພດ: 6.2PF)

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE

● 100% ການທົດສອບδvds

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ.

circle ວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຂອງຜູ້ດັດແປງແລະເຄື່ອງຊາດ.