ປະຕູ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » MOSFET » 400V-1500V N MOS » F10N70

ກຳລັງໂຫຼດ

ແບ່ງປັນໄປທີ່:
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ facebook
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ twitter
ປຸ່ມ​ແບ່ງ​ປັນ​ເສັ້ນ​
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ wechat
linkedin ປຸ່ມການແບ່ງປັນ
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ pinterest
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ whatsapp
ແບ່ງປັນປຸ່ມແບ່ງປັນນີ້

F10N70

10.0A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
ມີຢູ່:
ປະລິມານ:

10A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ຊິລິໂຄນ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີ planar ຕົນເອງສອດຄ່ອງເຊິ່ງຫຼຸດຜ່ອນການ.

ການ​ສູນ​ເສຍ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​, ການ​ປັບ​ປຸງ​ການ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​ສະ​ຫຼັບ​ແລະ​ເສີມ​ຂະ​ຫຍາຍ​ການ​ພະ​ລັງ​ງານ avalanche​. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.

2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ

● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.2Ω)

● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 34nC)

● ຄວາມອາດສາມາດການຖ່າຍໂອນປີ້ນໄດ້ຕໍ່າ(ປະເພດ: 6.2pF)

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.


VDSS RDS(ເປີດ)(TYP) ID
700V 0.96Ω 10A


ທີ່ຜ່ານມາ: 
ຕໍ່ໄປ: 
  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບ inbox ຂອງທ່ານ