F10N70

10A 700V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec Pii N-canalis vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta obtinetur, quae thecam minuunt

conductio damnum, emendare mutandi perficiendi et augendae NIVIS energiae. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

Fast commutatione

ESD melius facultatem

● Minimum resistente (Rdson≤1.2Ω)

Minimum crimen (Typ: 34nC)

Minimum contra facultates translationis (Typ: 6.2pF)

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
700V	0.96Ω	10A