F10N70

10A 700V N-kanavainen lisälaitetila Power MOSFET

1 Kuvaus

Nämä silikoni-N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasotekniikan avulla, joka vähentää

johtavuushäviö, parantaa kytkentätehoa ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto

● Parannettu ESD-ominaisuus

● Pieni resistanssi (Rdson≤1,2Ω)

● Matala portin lataus (Tyyppi: 34nC)

● Matala paluusiirtokapasitanssi (tyyppi: 6,2 pF)

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi.

● Sovittimen ja laturin virtakytkin.

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
700V	0,96Ω	10A