未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza F20N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 650 V F20N65
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 33 A 60 V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Dispositivo DH240N06L Specifiche Rev.2.0.pdf
Modalità di potenziamento canale P MOSFET di potenza 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specifiche del dispositivo DH100P30AD.pdf
Diodo a recupero rapido 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
MOSFET di potenza DHD80N08 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 80 V DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specifiche del dispositivo DHD80N08.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 18 A 100 V DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Specifiche.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650 V 60A _datasheet-12.26.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specifiche del dispositivo DHSJ17N65.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200 V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
-140A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 100 V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS020N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DHS020N88 TO-220C 85 V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
Transistor bipolare con gate isolato 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60A Specifiche del dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS010N04U in modalità potenziamento canale N da 300 A 40 V DHS010N04U PEDAGGIO 40 V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza F18N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 80 V DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Dispositivo DH80N08 B22 Specifiche.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com