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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Diodo barriera Schottky 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS055N85 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 110 A 85 V DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specifiche del dispositivo DHS055N85.pdf
100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET PEDAGGIO DSU023N10N3 PEDAGGIO 100 V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F10N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 700 V F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 200V MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 45V BASSO VF MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45 V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS020N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DHS020N88 TO-220C 85 V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Dispositivo DH100N03 B13 Specifiche.pdf
Transistor bipolare con gate isolato 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60A Specifiche del dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 15 A 650 V 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Specifiche del dispositivo DH60N06+.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 100 V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specifiche del dispositivo DH1K1N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 75 V D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Specifiche del dispositivo D7509.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Specifiche del dispositivo DH8004 (2).pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650 V 60A DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
MOSFET di potenza DHS025N06E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS025N06E TO-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 45V MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf

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