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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Specifica Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 50A 650V DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 11 A 650 V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Dispositivo DHSJ11N65Specifiche(S).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 25 A 100 V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specifiche del dispositivo DH100P25.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 60 V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 18 A 100 V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 31 A 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
Modulo mezzo ponte 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
Modulo mezzo ponte 250A 1200V Modulo IGBT DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200 V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCE10D65G4.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Dispositivo DH045N06 Specifiche.pdf
PIM da 50 A 1200 V in un modulo IGBT DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T EconoPIM2 1200 V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 60 A 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 12 A 700 V DJF360N70
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specifiche del dispositivo 25N10.pdf
Raddrizzatore controllato al silicio serie 600V /800V 12A BT151 TO-220M BT151 TO-220M 600 V/800 V 12A 英文版BT151-Rev. 1.2 versione di BT151(252).pdf
Serie TRIAC 600V/800V 8A BT137-600E TO-220M BT137-600E TO-220M 600 V/800 V 8A 英文版BT137-600E技术规格书触发H.pdf
MOSFET di potenza DHS021N04D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+Scheda dati+V3.0.pdf
Serie TRIAC 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M BT136-600E TO-220M 600 V/800 V 4A 英文版BT136技术规格书REV1.2.pdf
IC regolatore di tensione a tre terminali DHD7806 TO-220M DHD7806 TO-220M 6V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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