F4N80/B4N80

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 4 A 800 V

1 Descrizione

F4N80 Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è in accordo con la RoHS

standard. TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL. 

2 Caratteristiche

 Commutazione rapida

 Bassa resistenza all'attivazione (Rdson ≤ 4,0 Ω)

 Carica gate bassa (dati tipici: 17,3 nC)

 Capacità di trasferimento inverso basse (tipiche: 4,3 pF)

 Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

3 applicazioni

 Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.

 Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
800 V	3,7Ω	4A