F4N80/B4N80

4A 800V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

F4N80 Questi VDMOSFET migliorati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia valanghe. Che accorda con i ROHS

standard. TO-220F fornisce una tensione di isolamento classificata a 2000 V RM da tutti e tre i terminali a dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL. 

2 caratteristiche

 commutazione rapida

 Resistenza bassa (RDSON≤4,0Ω)

 Carica a basso gate (dati tipici: 17,3 NC)

 Capacità di trasferimento inverse basse (tipiche: 4.3pf)

 Test di energia a valanga a impulso singolo 100%

3 applicazioni

 Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.

 Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore di elettroni.