F4N80/B4N80

4A 800V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

F4N80 Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Welches mit den ROHS übereinstimmt

Standard. TO-220F liefert eine Isolationsspannung von 2000 V RMS von allen drei Klemmen bis hin zu einem externen Kühlkörper. TO-220F-Serie entsprechen den UL-Standards. 

2 Merkmale

 schnelles Umschalten

 Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 4,0 Ω)

 Ladung mit niedriger Gate (typische Daten: 17,3 NC)

 niedrige Umkehrtransferkapazität (typisch: 4.3PF)

 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

3 Anwendungen

 Verwendet in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz.

 Stromschalterkreis von Elektronenballast und Adapter.