F4N80/B4N80

4A 800V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

F4N80 Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was mit der RoHS übereinstimmt

Standard. TO-220F bietet eine Isolationsspannung von 2000 V RMS von allen drei Anschlüssen zum externen Kühlkörper. Die TO-220F-Serie entspricht den UL-Standards. 

2 Funktionen

 Schnelles Umschalten

 Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 4,0 Ω)

 Niedrige Gate-Ladung (typische Daten: 17,3 nC)

 Niedrige Rückübertragungskapazitäten (typisch: 4,3 pF)

 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

3 Anwendungen

 Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.

 Stromschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
800V	3,7 Ω	4A