F4N80/B4N80

4 ए 800 वी एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर मोसफेट

1 विवरण

F4N80 ये एन-चैनल ने VDMOSFETS को बढ़ाया, स्व-संरेखित प्लानर तकनीक द्वारा प्राप्त किया जाता है जो चालन हानि को कम करते हैं, स्विचिंग प्रदर्शन में सुधार करते हैं और हिमस्खलन ऊर्जा को बढ़ाते हैं। जो ROHs के साथ है

मानक। To-220F सभी तीन टर्मिनलों से बाहरी हीटसिंक तक 2000V RMS पर रेटेड इन्सुलेशन वोल्टेज प्रदान करता है। TO-220F श्रृंखला UL मानकों का अनुपालन करती है। 

2 विशेषताएं

 फास्ट स्विचिंग

 प्रतिरोध पर कम (rdson004.0))

 लो गेट चार्ज (विशिष्ट डेटा: 17.3 नेकां)

 कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस (विशिष्ट: 4.3pf)

 100% सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा परीक्षण

3 आवेदन

 सिस्टम लघु और उच्च दक्षता के लिए विभिन्न पावर स्विचिंग सर्किट में उपयोग किया जाता है।

। इलेक्ट्रॉन गिट्टी और एडाप्टर का पावर स्विच सर्किट।