F4N80/B4N80

4A 800V एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर MOSFET

1 विवरण

F4N80 ये एन-चैनल संवर्धित vdmosfets, स्व-संरेखित प्लानर तकनीक द्वारा प्राप्त किया जाता है जो चालन हानि को कम करता है, स्विचिंग प्रदर्शन में सुधार करता है और हिमस्खलन ऊर्जा को बढ़ाता है। जो RoHS के अनुरूप है

मानक। TO-220F तीनों टर्मिनलों से बाहरी हीटसिंक तक 2000V RMS पर रेटेड इन्सुलेशन वोल्टेज प्रदान करता है। TO-220F श्रृंखला UL मानकों का अनुपालन करती है। 

2 विशेषताएं

 तेज़ स्विचिंग

 कम प्रतिरोध (Rdson≤4.0Ω)

 कम गेट चार्ज (विशिष्ट डेटा: 17.3 एनसी)

 कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस (सामान्य: 4.3pF)

 100% एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा परीक्षण

3 अनुप्रयोग

 सिस्टम लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए विभिन्न पावर स्विचिंग सर्किट में उपयोग किया जाता है।

 इलेक्ट्रॉन गिट्टी और एडाप्टर का पावर स्विच सर्किट।

वीडीएसएस	आरडीएस(चालू)(टीवाईपी)	पहचान
800V	3.7Ω	4 ए