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MOSFET N DSE108N20NA TO-263 da 200 V/11 mΩ/110 A DSE108N20NA TO-263 200 V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Dispositivo DH033N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 160 A 30 V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Dispositivo DH020N03P Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS021N04 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 40 V DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Scheda Tecnica+V3.0.pdf
IC regolatore di tensione a tre terminali L7808 TO-220M L7808 TO-220M 8 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 100V MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100 V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A PEDAGGIO DSU011N08N3A PEDAGGIO 85 V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650 V 50A G50T65DS_datasheet.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 15 A 100 V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specifiche del dispositivo DH850N10.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 40A 650V DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Specifiche del dispositivo DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
IC regolatore di tensione a tre terminali L7809 TO-220M L7809 TO-220M 9V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7805CV TO-220M L7805CV TO-220M 5 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
PACCHETTO MOSFET di potenza DSP018N04LA DSP018N04LA in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A Donghai_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V 140 A DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 9 A 900 V 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
Pacchetto PEDAGGIO DSU007N04NA 40 V/0,5 mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA PEDAGGIO 40 V 360A Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky BASSO da 10 A 150 V MBR10R150CT TO-220C MBR10R150CT TO-220C 150 V 10A 英文版MBR10R150CT技术规格书.pdf
MOSFET N da 80 V/3,4 mΩ/100 A DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

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