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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 19 A 80 V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Dispositivo DH300N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Dispositivo DH16N06 Specifiche.pdf
-30A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza DHS025N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 100 V DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specifiche del dispositivo DHS025N10.pdf
Diodo a recupero rapido 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400 V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 112 A 68 V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET di potenza F7N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C e TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS010N04U in modalità potenziamento canale N da 300 A 40 V DHS010N04U PEDAGGIO 40 V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200 V 36A Specifiche del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET di potenza N6005/FN6005/EN6005 in modalità potenziata a canale N da 210 A 60 V N6005 TO-220C 60 V 180A Specifiche del dispositivo N6005B40.pdf
MOSFET di potenza DHZ24 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 30 A 60 V DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specifiche del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 40 A 60 V DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Dispositivo DH400P06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Dispositivo DH060N07D Specifiche.pdf
MOSFET di potenza F10N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 500 V F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza DHD80N08 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 80 V DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specifiche del dispositivo DHD80N08.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf

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