ゲート
江蘇東海半導体有限公司
現在位置: » 製品
モデル:
パッケージ:
V:
答え:
厳選された製品ライン:

すべての製品

画像 モデル パッケージ V A データシート 詳細 お問い合わせ バスケットに追加
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A 東海_DSD190N10L3&DSB190N10L3_データシート_V1.0.pdf
40A 1200V トレンチストップ絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ DGC40F120M2 TO-247 DGC40F120M2 TO-247 1200V 40A DGC40F120M2 - データシート-20230621.pdf
13A 100V PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET18P10D TO-252B 18P10D TO-252B -100V -13A デバイス 18P10 仕様.pdf
 NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150V 150A デバイス DSG059N15NA 仕様.pdf
ファストリカバリダイオード 60A 300V MUR6030NCT TO-3PN MUR6030NCT TO-3PN 300V 60A 和訳版 MUR6030NCT 技術术规格书REV.1.0.pdf
120A 85V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A デバイス+DSG048N08N3+仕様+Rev.1.0.pdf
G50T65LBBW
20A 400V ファストリカバリダイオード MUR2040 TO-220-2L MUR2040 TO-220-2L 400V 20A 和訳版MUR2040技術术规格书220.pdf
G50T65LBBW
9A 200V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9A デバイス 630 仕様.pdf
 NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150V 150A 東海_DHS042N15&DHS042N15E_データシート_V2.0 (1).pdf
60A 1200V ファストリカバリダイオード MUR60120BCT TO-247 MUR60120BCT TO-247 1200V 60A 和訳版MUR60120CT技術术规格书.pdf
-85A -60V P チャネルエンハンスメントモードパワー MOSFET DTD125P06LA TO-252B DTD125P06LA TO-252B -60V -85A デバイス+DTD125P06LA+仕様+Rev.1.0.pdf
DGC75F65M
DGC75F120M2
PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40A デバイス DH100P40D 仕様.pdf
100A 30V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
60A 600V ファストリカバリダイオード MUR60FU60FCT TO-3PF MUR60FU60FCT TO-3PF 600V 60A 和訳版MUR60FU60FCT技术规格书.pdf
30A 300V ファストリカバリダイオード MUR3030CT TO-220-2L MUR3030CT TO-220-2L 300V 30A 和訳版 MUR3030CT技術术规格书.pdf
DGA75H65M2T

製品ビデオ

  • ニュースレターに登録する
  • 今後の準備をしましょう。
    ニュースレターに登録すると、最新情報が直接受信箱に届きます。