未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
19A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Zariadenie DH300N08 Špecifikácia.pdf
61A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Zariadenie DH16N06 Špecifikácia.pdf
-30A -60V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Špecifikácia zariadenia DHS025N10.pdf
16A 400V Dióda rýchlej obnovy MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220 mil 400 V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
112A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
300A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS010N04U MÝTANÝ BALÍK DHS010N04U TOLL 40 V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanálový SIC napájací MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Špecifikácia zariadenia DCC080M120A.pdf
210A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Špecifikácia zariadenia N6005B40.pdf
30A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Zariadenie DHZ24B31 Špecifikácia.pdf
40A 60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Špecifikácia zariadenia DH400P06.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Zariadenie DH060N07D Špecifikácia.pdf
10A 500V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
90A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Zariadenie DHD80N08 Špecifikácia.pdf
NPN epitaxný silikónový tranzistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com