brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200 V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Zariadenie DH033N04 Špecifikácia.pdf
160A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Špecifikácia zariadenia DH020N03P.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7808 TO-220M L7808 TO-220 mil 8V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100 V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A TOLL 85V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána bipolárny tranzistor G50T65DS TO-247S G50T65DS TO-247S 650 V 50A G50T65DS_datasheet.pdf
15A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Špecifikácia zariadenia DH850N10.pdf
40A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 TO-247 650 V 40A Špecifikácia zariadenia DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Zariadenie+DSG041N08NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7809 TO-220M L7809 TO-220 mil 9V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Trojpólový regulátor napätia IC L7805CV TO-220M L7805CV TO-220 mil 5V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dióda DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 TO-220-2 650 V 20A Špecifikácia zariadenia DCGT20D65G4.pdf
100A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP018N04LA BALENIE DFN5X6 DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A Donghai_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
9A 900V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
40V/0,5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA TOLL Package DSU007N04NA TOLL 40 V 360A Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
10A 150V LOW SchottkyBarrierDiode MBR10R150CT TO-220C MBR10R150CT TO-220C 150V 10A 英文版MBR10R150CT技术规格书.pdf
80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty