未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
19A 80V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Specifikace zařízení DH300N08.pdf
61A 60V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Specifikace zařízení DH16N06.pdf
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Specifikace zařízení DHS025N10.pdf
16A 400V Dioda rychlé obnovy MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
112A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kaválový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
300A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS010N04U MÝTNÍ BALENÍ DHS010N04U MÝTNÉ 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Specifikace zařízení DCC080M120A.pdf
210A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Specifikace zařízení N6005B40.pdf
30A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Specifikace zařízení DHZ24B31.pdf
40A 60V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Specifikace zařízení DH400P06.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Specifikace zařízení DH060N07D.pdf
10A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
90A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Specifikace zařízení DHD80N08.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášen�y k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší al ránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com