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61 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Gerätespezifikation DH16N06.pdf
-30A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Gerätespezifikation DHS025N10.pdf
16A 400V Fast-Recovery-Diode MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT术规格书REV1.0.pdf
112 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
7A 700V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C und TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A DH4N150B-Download.pdf
300 A 40 V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS010N04U TOLL-PAKET DHS010N04U MAUT 40V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
36 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Gerätespezifikation DCC080M120A.pdf
210 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Spezifikation des Geräts N6005B40.pdf
30A 60V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Gerätespezifikation DHZ24B31.pdf
40 A 60 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Gerätespezifikation DH400P06.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 100 A 68 V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Gerätespezifikation DH060N07D.pdf
10A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50术规格书(1).pdf
90 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Gerätespezifikation DHD80N08.pdf
NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882术规格书.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf
20A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650V 20A 英文版20N65D术规格书REV1.0.pdf

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