P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 40A 100V
1 Beschreibung
Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig auf Gate -Ladung
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Geeignet für Motorfahrer.
● Regulierungsbehörden wechseln
● Konverter und Relaistreiber
● Alarm
VDSS |
RDS (ON) (Typ) |
AUSWEIS |
-100V |
31mΩ |
-40a |