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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 40A 100V DH100P40D bis 252B

P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 40A 100V
Verfügbarkeit:
Menge:

P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 40A 100V


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig auf Gate -Ladung

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Geeignet für Motorfahrer. 

● Regulierungsbehörden wechseln 

● Konverter und Relaistreiber 

● Alarm


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-100V 31mΩ -40a



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