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P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 40 A 100 V DH100P40D TO-252B

P-Kanal-Enhancement-Mode-Leistungs-MOSFET 40 A 100 V
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P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 40 A 100 V


1 Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedrige Gate-Ladung

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen 

● Geeignet für Motorfahrer. 

● Schaltregler 

● Konverter und Relaistreiber 

● Warner


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-100V 31mΩ -40A



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