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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 40A 100V DH100P40D TO 252B

Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 40A 100V
Disponibilidad:
Cantidad:

Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 40A 100V


1 descripción

Estos vdMosfets mejorados con el canal P, utilizaron tecnología y diseño de zanja avanzada, proporcionan a excelente RDSON con baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido 

● Baja de carga de puerta

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS


3 aplicaciones 

● Adecuado para conductores de motor. 

● Reguladores de conmutación 

● Convertidores y controladores de retransmisión 

● Alerta


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN 
-100V 31mΩ -40a



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