-85A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Hochdichtes Zelldesign für extrem niedrigen Rdson
● 175°C Betriebstemperatur
● Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
● Gute Stabilität und Gleichmäßigkeit mit hohem EAS
● Hervorragende Verpackung für gute Wärmeableitung
3 Anwendungen
● Lastschalter
| VBR |
VF(einzeln)(MAX) |
IF(AV)(einzeln) |
| -60V |
10,5 V |
-85A |