-85A -60V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DTD125P06LA TO-252B

-85A -60V P-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need P-kanali laiendusrežiimi võimsusega mosfetid kasutasid täiustatud kaevikutehnoloogiat, pakkusid suurepärast Rdsoni ja madalat väravalaengut. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

● Kõrge tihedusega elemendi disain ülimadala Rdsoni jaoks

● 175°C töötemperatuur

● Täielikult iseloomustatud laviini pinge ja vool 

● Hea stabiilsus ja ühtlus kõrge EAS-iga 

● Suurepärane pakend hea soojuse hajutamiseks 

3 Rakendused

● Laadimislüliti

VBR	VF (üksik) (MAX)	IF(AV)(üksik)
-60V	10,5 V	-85A