-85A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTD125P06LA TO-252B

-85A -60V P-kanalni način izboljšave MOSFET

1 Opis

Ti močnostni mosfeti v načinu izboljšave P-kanala so uporabljali napredno zasnovo tehnologije jarek, zagotavljajo odličen Rdson in nizek naboj vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS. 

2 Lastnosti 

● Celična zasnova visoke gostote za ultra nizek Rdson

● Delovna temperatura 175°C

● Popolnoma karakterizirana lavinska napetost in tok 

● Dobra stabilnost in enotnost z visokim EAS 

● Odličen paket za dobro odvajanje toplote 

3 Aplikacije

● Stikalo za obremenitev

VBR	VF (enojni) (MAX)	IF(AV)(enojno)
-60V	10,5 V	-85A