-85A -60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DTD125P06LA TO-252B

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P -85A -60V

1 Descriptif

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal P utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Conception de cellules haute densité pour un Rdson ultra faible

● Température de fonctionnement de 175 °C

● Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés 

● Bonne stabilité et uniformité avec un EAS élevé 

● Excellent package pour une bonne dissipation thermique 

3 candidatures

● Interrupteur de charge

VBR	VF(simple)(MAX)	SI(AV)(simple)
-60V	10,5 V	-85A