қол жетімділігі: | |
---|---|
Саны: | |
Dtd125p06la
Wxdh
Dtd125p06la
To-252B
-60 В
-85А
-85A -60V P-Channel Enhancement Move Power MOSFET
1 сипаттама
P-Channel Angistance Mode Power Moffets жетілдірілген траншея технологиясының дизайнын қолданды, керемет RSSON және LATE GATE заряды. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● Ультра төмен RSSON үшін тығыздық жасушаларының жоғары дизайны
● 175 ° C жұмыс температурасы
● толығымен сипатталған көшкін кернеуі және ток
● Жоғары: жақсы тұрақтылық және біркелкілік
● Жақсы жылуды таратуға арналған тамаша пакет
3 өтінім
● Жүктеу қосқышы
VBR | VF (жалғыз) (MAX) | Егер (ав) (бір) |
-60 В | 10.5V | -85А |
-85A -60V P-Channel Enhancement Move Power MOSFET
1 сипаттама
P-Channel Angistance Mode Power Moffets жетілдірілген траншея технологиясының дизайнын қолданды, керемет RSSON және LATE GATE заряды. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● Ультра төмен RSSON үшін тығыздық жасушаларының жоғары дизайны
● 175 ° C жұмыс температурасы
● толығымен сипатталған көшкін кернеуі және ток
● Жоғары: жақсы тұрақтылық және біркелкілік
● Жақсы жылуды таратуға арналған тамаша пакет
3 өтінім
● Жүктеу қосқышы
VBR | VF (жалғыз) (MAX) | Егер (ав) (бір) |
-60 В | 10.5V | -85А |