Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
19А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH300N08D TO-252B ДХ300Н08Д ТО-252Б 80В 19А Спецификация устройства DH300N08.pdf
61А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH16N06 TO-220C ДХ16Н06 ТО-220С 60В 61А Спецификация устройства DH16N06.pdf
-30A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH400P06LD TO-252B ДХ400П06ЛД ТО-252Б -60В -30А Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS025N10 TO-220C ДХС025Н10 ТО-220С 100В 240А Спецификация устройства DHS025N10.pdf
16А 400В Диод быстрого восстановления MUR1640CT TO-220M MUR1640CT ТО-220М 400В 16А 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
112 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH100N06 TO-220C ДХ100Н06 ТО-220С 68В 112А Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
7А, 700 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F7N70 TO-220F Ф7Н70 ТО-220Ф 700В 7А 英文版F7N70技术规格书.pdf
120 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C и TO-263 ДСГ047N08N3 ТО-220С 80В 120А Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Диод с барьером Шоттки 20 А, 100 В MBRA20100CT TO-220M МБРА20100CT
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 4А, 1500 В DH4N150B TO-247 ДХ4Н150Б ТО-247 1500В 4А 英文版DH4N150B 技术规格书.pdf
300 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS010N04U, ПЛАТНЫЙ ПАКЕТ DHS010N04U ПОТЕРИ 40В 300А Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 36 А, 1200 В DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A ТО-247 1200В 36А Спецификация устройства DCC080M120A.pdf
210 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор N6005/FN6005/EN6005 N6005 ТО-220С 60В 180А Спецификация устройства N6005B40.pdf
30 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHZ24 TO-220C ДХЗ24 ТО-220С 60В 30А Спецификация устройства DHZ24B31.pdf
40А, 60В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH400P06 TO-220C ДХ400П06 ТО-220С 60В 40А Спецификация устройства DH400P06.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 100 А, 68 В DH060N07B TO-251B ДХ060Н07Б ТО-251Б 68В 100А Спецификация устройства DH060N07D.pdf
10 А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F10N50 TO-220F Ф10Н50 ТО-220Ф 500В 10А 英文版F10N50技术规格书(1).pdf.
90 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD80N08 TO-252B ДХД80Н08 ТО-252Б 80В 90А Спецификация устройства DHD80N08.pdf
Эпитаксиальный кремниевый транзистор 2SD882 NPN TO-126 2SD882 ТО-126 40В 3А 英文版D882技术规格书.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 85 В DHS045N88 TO-220C ДХС045Н88 ТО-220С 85В 120А Спецификация устройства DHS045N88-Rev.1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com