Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
200 В/11 мОм/110 А N-МОП-транзистор DSE108N20NA TO-263 ДСЕ108Н20НА ТО-263 200В 110А Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH033N04 TO-220C ДХ033N04 ТО-220С 40В 120А Спецификация устройства DH033N04.pdf
160 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH020N03P 5x6-8 ДХ020Н03П DFN5X6 30 В 160А Спецификация устройства DH020N03P.pdf
180 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ТО-220С 40В 180А Дунхай+DHS021N04&DHS021N04E+Информация+V3.0.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7808 TO-220M L7808 ТО-220М 8В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
Диод с барьером Шоттки 20 А, 100 В MBRF20100CT TO-220F МБРФ20100CT ТО-220Ф 100В 20А 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85 В/0,9 мОм/360 А N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL ДСУ011Н08Н3А ПОТЕРИ 85В 360А Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
биполярный транзистор G50T65DS TO-247S с изолированными воротами 50A 650V Trenchstop Г50Т65ДС ТО-247С 650В 50А G50T65DS_datasheet.pdf
15А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH850N10B TO-251B ДХ850Н10Б ТО-251Б 100В 15А Спецификация устройства DH850N10.pdf
40А 650В барьерный диод ДКК40Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-247-3 DCC40D65G4 ТО-247 650В 40А Спецификация устройства DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA ТО-220C DSG041N08NA ТО-220С 85В 180А Устройство+DSG041N08NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7809 TO-220M L7809 ТО-220М 9В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7805CV TO-220M L7805CV ТО-220М 5В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
20А 650В барьерный диод ДКГТ20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT20D65G4 ТО-220-2 650В 20А Спецификация устройства DCGT20D65G4.pdf
100 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP018N04LA DFN5X6 ПАКЕТ ДСП018Н04ЛА DFN5X6 40В 100А Донхай_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
100 В 140 А N-МОП-транзистор DSG054N10N3 TO-220C ДСГ054Н10Н3 ТО-220С 100В 140А Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
9А, 900 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 9N90 TO-3PN 9Н90 ТО-3ПН 900В 9А 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
40 В/0,5 мОм/360AN-MOSFET DSU007N04NA Платный пакет ДСУ007Н04НА ПОТЕРИ 40В 360А Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
10А 150В НИЗКИЙ Диод Шоттки с барьером MBR10R150CT TO-220C МБР10Р150КТ ТО-220С 150 В 10А 英文版MBR10R150CT 技术规格书.pdf
80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 ДСП037N08N3 ДФН5*6-8 80В 100А Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторское право © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com