未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 19A 80V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Especificación del dispositivo DH300N08.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 A-220C 60V 61A Especificación del dispositivo DH16N06.pdf
-30A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 240A 100V DHS025N10 TO-220C DHS025N10 A-220C 100V 240A Especificación del dispositivo DHS025N10.pdf
Diodo recuperación rápida 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT A-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 112A 68V DH100N06 TO-220C DH100N06 A-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET F7N70 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 7A 700V F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET de potencia DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C y TO-263 del modo de mejora del canal N de 120A 80V DSG047N08N3 A-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B A-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DHS010N04U de potencia de modo de mejora de canal N de 300A y 40 V DHS010N04U PEAJE 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A A-247 1200V 36A Especificación del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET de potencia N6005/FN6005/EN6005 del modo de mejora del canal N de 210A 60V N6005 A-220C 60V 180A Especificación del dispositivo N6005B40.pdf
MOSFET de potencia DHZ24 TO-220C del modo de mejora del canal N de 30A 60V DHZ24 A-220C 60V 30A Especificación del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 40A 60V DH400P06 TO-220C DH400P06 A-220C 60V 40A Especificación del dispositivo DH400P06.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Especificación del dispositivo DH060N07D.pdf
MOSFET F10N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 500V F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 80V DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Especificación del dispositivo DHD80N08.pdf
Transistor de silicio epitaxial NPN 2SD882 TO-126 2SD882 A-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 A-220C 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com