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200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA A-263 200V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 40V DH033N04 TO-220C DH033N04 A-220C 40V 120A Especificación del dispositivo DH033N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 160A 30V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificación del dispositivo DH020N03P.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 40V DHS021N04 TO-220C DHS021N04 A-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Hoja de datos+V3.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7808 TO-220M L7808 A-220M 8V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85V/0.9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PEAJE DSU011N08N3A PEAJE 85V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar G50T65DS TO-247S de puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65DS TO-247S 650V 50A G50T65DS_datasheet.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 15A 100V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Especificación del dispositivo DH850N10.pdf
Diodo de barrera Schottky de 40A 650V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 A-247 650V 40A Especificación del dispositivo DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA A-220C 85V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7809 TO-220M L7809 A-220M 9V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7805CV TO-220M L7805CV A-220M 5V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 A-220-2 650V 20A Especificación del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
PAQUETE MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DSP018N04LA DFN5X6 40V 100A Donghai_ DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 A-220C 100V 140A Donghai_DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia 9N90 TO-3PN del modo de mejora del canal N de 9A 900V 9N90 A-3PN 900V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
Paquete PEAJE 40V/0.5mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA DSU007N04NA PEAJE 40V 360A Donghai_DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
10A 150V BAJO Diodo de barrera Schottky MBR10R150CT TO-220C MBR10R150CT A-220C 150V 10A 英文版MBR10R150CT技术规格书.pdf
80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

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