未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBR20100CT TO-252 MBR20100CT A-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET de SiC de 1200V/16mΩ/110A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
Diodo de barrera Schottky 40A 100V MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia 14N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 14A 650V 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
MOSFET de potencia 18N50D TO-3PN del modo de mejora del canal N de 18A 500V 18N50D A-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 A-263 80V 180A Especificación del dispositivo DH8004 (2).pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E A-263 100V 110A Especificación del dispositivo DHS052N10.pdf
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN TIP122 TO-220M CONSEJO127 A-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 140A 40V DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Especificación del dispositivo DHP035N04.pdf
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN TIP122 TO-220M CONSEJO122 A-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS A-3P 300V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Especificación del dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A DH140N10B y DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E A-263 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Módulo de medio puente 100A 650V módulo IGBT DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolar de puerta aislada 18A 650V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Especificación del dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Especificación del dispositivo DHS052N10.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Especificación del dispositivo DHS052N10.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com