未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

Kõik tooted

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
100A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P andmeleht V3.0.pdf
8A 600 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 KUNI -220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A DH160P04D_Andmeleht_V1.0.pdf
10A 100V Schottky BarrierDiood MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220M 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
4A 650 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
8A 500 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 KUNI -220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650 V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Andmeleht_V1.0.pdf
120A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R KUNI -220C 100V 120A Seadme DH10H037R spetsifikatsioon.pdf
120A 98V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 KUNI -220C 98V 120A Seadme DHS046N10 spetsifikatsioon.pdf
63A 60V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Epitaksiaalne ränitransistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
140A 30V P-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
20A 200V LOW VF Schottky tõkkediood MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Seade+DHS250N10D+Spetsifikatsioon+Rev1.0.pdf
-30A -100V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C KUNI -220C -100V -30A Seadme DH100P30CB1Q spetsifikatsioon.pdf
60A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 KUNI -220C 68V 60A Seadme DH50N06FZC spetsifikatsioon.pdf
80A 400V kiire taastav diood MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V Schottky BarrierDiood MBR60200CT TO-220C MBR60200CT KUNI -220C 200V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf
18A 1200V N-kanaliga SIC Power MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com