未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT -220C 100V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
14A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 -220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Laitteen DH8004 tekniset tiedot (2).pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
NPN-epitaksiaalinen piitransistori TIP122 TO-220M -paketti VINKKI 127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Pikapalautusdiodi 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
140A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Laite DHP035N04 Specification.pdf
NPN-epitaksiaalinen piitransistori TIP122 TO-220M -paketti VINKKI 122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 -220C 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
Pikapalautusdiodi 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Laitteen DH100P30CB1Q Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 68A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V eristetty porttibipolaaritransistori DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Laitteen DHG20T65D tekniset tiedot(TO-220F).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com