10N60/F10N60/E10N60

10A 600V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä silikoni-N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasotekniikan avulla, joka vähentää

johtavuushäviö, parantaa kytkentätehoa ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto

● Parannettu ESD-ominaisuus

● Pieni resistanssi (Rdson≤9,0Ω)

● Matala portin lataus (Tyyppi: 32nC)

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (tyyppi: 7,5 pF)

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi.

● Sovittimen ja laturin virtakytkin.

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
600V	0,7Ω	10A