10N60/F10N60/E10N60

10a 600V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET

1 Leírás

Ezeket a Szilícium-N-csatornát továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a

Vezetési veszteség, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az Avalanche energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.

2 Jellemzők

● Gyors váltás

● Az ESD javított képessége

● Alacsony az ellenállás (rdson≤9,0Ω)

● Alacsony kapu töltés (TIP: 32NC)

● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 7.5PF)

● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt

● 100% ΔVDS teszt

3 alkalmazás

● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.

● Az adapter és a töltő teljesítménykapcsoló áramköre.