10N60/F10N60/E10N60

10A 600V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need räni N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab

juhtivuse kadu, parandada lülitusjõudlust ja suurendada laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile.

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine

● ESD täiustatud võime

● Madal takistus (Rdson≤9,0Ω)

● Värava madal laetus (tüüp: 32nC)

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 7,5 pF)

● 100% ühe impulsi laviini energia test

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.

● Adapteri ja laadija toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
600V	0,7Ω	10A