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Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
Diodo barriera Schottky da 40 A 100 V MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100 V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 14 A 650 V 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180A Specifiche del dispositivo DH8004 (2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf
Pacchetto TIP122 TO-220M per transistor epitassiale al silicio NPN SUGGERIMENTO127 TO-220M -100 V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 140 A 40 V DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Dispositivo DHP035N04 Specifiche.pdf
Pacchetto TIP122 TO-220M per transistor epitassiale al silicio NPN SUGGERIMENTO122 TO-220M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300 V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30A Specifiche del dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A DH140N10B&DH140N10D_Scheda dati_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 100A 650V DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34 mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolare a gate isolato 18A 650V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specifiche del dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specifiche del dispositivo DHS052N10.pdf

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