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20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT PARA-252 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT PARA-220C 100 V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
14A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 PARA-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 PARA-263 80 V 180A Especificação do dispositivo DH8004 (2).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E PARA-263 100 V 110A Especificação do dispositivo DHS052N10.pdf
Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN TIP122 TO-220M DICA 127 PARA-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
140A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Especificação do dispositivo DHP035N04.pdf
Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN TIP122 TO-220M DICA 122 PARA-220M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 PARA-220C 85 V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS PARA-3P 300V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD PARA-252B -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E PARA-263 85 V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 100A 650V módulo DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V transistor bipolar de porta isolada DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Especificação do dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf
Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D PARA-252B 100 V 110A Especificação do dispositivo DHS052N10.pdf
Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Especificação do dispositivo DHS052N10.pdf

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