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Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Especificação do dispositivo DH10H035R.pdf
120A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500 V 5A Especificação do dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
5A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 PARA-252B 500 V 5A Especificação do dispositivo D5N50 e B5N50.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650 V 10A Especificação do dispositivo DCGT10D65G4.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500 V 5A Donghai_DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500 V 4A Donghai_DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A Donghai_DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 16A 600V MUR1660CT TO-220M MUR1660CT PARA-220M 600 V 16A 英文版MUR1660CT&MURF1660CT技术规格书.pdf
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-263 MBR10150CT PARA-263 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 10A 1200V DCD10D120G4/DCCT10D120G4/DCET10D120G4
20A 200V BAIXO diodo de barreira VF Schottky MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D PARA-252B 100V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Especificação+Rev1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Especificação do dispositivo DH060N07D.pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68 V 60A Especificação do dispositivo DH50N06FZC.pdf
Diodo de recuperação rápida 80A 400V MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400 V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V SchottkyBarrierDiode MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200 V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf

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