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18A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 PARA-247 1200 V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
10A 400V Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400 V 10A Especificação do dispositivo 740.pdf
50A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120V 50A Especificação do dispositivo DH150N12.pdf
20mΩ 650V canal N SiC Power MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
170A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60V 20A Especificação do dispositivo DH9Z24B1R Rev.1.0.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 PARA-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
140A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A Donghai_DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 30A 600V MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600 V 30A 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V canal N SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 PARA-247 1200 V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1700V canal N SIC Power MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 140A 30V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
25A 1200V Trenchstop isolou o transistor bipolar DGC25H120M2 TO-247 da porta DGC25H120M2 PARA-247 1200 V 25A
105A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Especificação do dispositivo DH025N04.pdf
40A 60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Especificação do dispositivo DH400P06.pdf
10A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
90A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 PARA-252B 80V 90A Especificação do dispositivo DHD80N08.pdf
Transistor de silício epitaxial NPN 2SD882 TO-126 2SD882 PARA-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 60A 650V DGC60F65M TO-247 DGC60F65M PARA-247 650 V 60A DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf

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