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80A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D PARA-252B 68 V 80A Especificação do dispositivo DH072N07.pdf
100A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D PARA-252B 30V 100A Especificação do dispositivo DH033N03 (1).pdf
10N65/F10N65/I10N65
110A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E PARA-263 85V 110A Especificação do dispositivo DHS055N85.pdf
180A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Dispositivo+DHS035N10&DHS035N10E+Especificação+Rev.1.0 (1).pdf
Módulo meia ponte 160A 650V IGBTModule DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650 V 160A DGA160H65M2T.pdf
DGF25F65M
12N65/F12N65
Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN MJD127 TO-252 MJD127 PARA-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
DHD10N65
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 PARA-247 1200 V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 116A 68V DH070N07 TO-220C 70 V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo meia ponte 40A 1200V IGBTModule DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34mm 1200 V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 PARA-252B 68 V 60A Especificação do dispositivo 50N06B34.pdf
40A 200V SchottkyBarrierDiode MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT TO-3PN 200 V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
F8N70
Diodo de recuperação rápida 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600 V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 80A 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT TO-3PN 300V 80A 英文版MUR80FU30DCT技术规格书.pdf

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