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18 A 1200 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
10 A 400 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400V 10A Spezifikation des Geräts 740.pdf
50 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120V 50A Gerätespezifikation DH150N12.pdf
20 mΩ 650 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
170 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
20 A 60 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 TO-220C 60V 20A Gerät DH9Z24B1R Spezifikation Rev.1.0.pdf
4A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
140 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
30A 600V Fast-Recovery-Diode MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600V 30A 英文版MUR3060NCT术规格书REV1.0.pdf
30 mΩ 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1700V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
140 A 30 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
25A 1200V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 TO-247 1200V 25A
105 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Gerätespezifikation DH025N04.pdf
40 A 60 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Gerätespezifikation DH400P06.pdf
10 A 500 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50术规格书(1).pdf
90 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Gerätespezifikation DHD80N08.pdf
NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882术规格书.pdf
60 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A DGC60F65M__datasheet-12.26.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf

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