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80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Gerätespezifikation DH072N07.pdf
100 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Gerätespezifikation DH033N03(1).pdf
10N65/F10N65/I10N65
110 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Gerätespezifikation DHS055N85.pdf
180 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Gerät+DHS035N10&DHS035N10E+Spezifikation+Rev.1.0 (1).pdf
160A 650V Halbbrückenmodul IGBTModule DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
DGF25F65M
12N65/F12N65
NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor MJD127 TO-252-Gehäuse MJD127 TO-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127术规格书.pdf
DHD10N65
1200 V/16 mΩ/110 A SiC-MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
116 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH070N07 TO-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V Halbbrückenmodul IGBTModule DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34mm 1200V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
60 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Gerätespezifikation 50N06B34.pdf
40A 200V SchottkyBarrierDiode MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT TO-3PN 200V 40A Siehe MBR40200CT und 3PN.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
F8N70
30A 600V Fast-Recovery-Diode MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
80A 300V Fast-Recovery-Diode MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT TO-3PN 300V 80A 英文版MUR80FU30DCT术规格书.pdf

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