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MOSFET de potencia SIC de canal N de 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 A-247 1200V 18A Donghai_DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia 740 TO-220C del modo de mejora del canal N de 10A 400V 740 A-220C 400V 10A Especificación del dispositivo 740.pdf
MOSFET de potencia del modanal N de 155 A y 40 V DH035N04 TO-220C ofrecido por el fabricante chino WXDH. Compre MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 155A 40V DH035N04 TO-220C directamente con bajo precio y alta calidad. DH150N12 A-220C 120V 50A Especificación del dispositivo DH150N12.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N de 20 mΩ y 650 V DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia DSG030N10N3 TO-220C del modo de mejora del canal N de 170A 100V Da1738=Circuitos de bajo costo A-220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 20A 60V DH9Z24 TO-220C DH9Z24 A-220C 60V 20A Dispositivo DH9Z24B1R Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET B4N65 TO-251 de potencia del modo de mejora del canal N de 4A 650V B4N65 A-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET de potencia DSG070N15NA TO-220C del modo de mejora del canal N de 140A 150V DSG070N15NA A-220C 150V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 30A 600V MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT A-3PN 600V 30A 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia de SiC de canal N, 30mΩ, 1200V, DCC03068aa19=sales@wxdh.com .cn DCC030M120G2 A-247 1200V 68A Donghai_DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 5A 1700V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 140 A y 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Transistor bipolar DGC25H120M2 TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 25A 1200V DGC25H120M2 A-247 1200V 25A
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 105A 40V DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Especificación del dispositivo DH025N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 40A 60V DH400P06 TO-220C DH400P06 A-220C 60V 40A Especificación del dispositivo DH400P06.pdf
MOSFET F10N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 500V F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 80V DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Especificación del dispositivo DHD80N08.pdf
Transistor de silicio epitaxial NPN 2SD882 TO-126 2SD882 A-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
Transistor bipolar DGC60F65M TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 60A 650V DGC60F65M A-247 650V 60A DGC60F65M__hoja de datos-12.26.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 A-220C 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf

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