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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Especificación del dispositivo DH033N03(1).pdf
10N65/F10N65/I10N65
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 110A 85V DHS055N85E TO-263 DHS055N85E A-263 85V 110A Especificación del dispositivo DHS055N85.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DHS035N10 TO-220 DHS035N10 A-220C 100V 180A Dispositivo+DHS035N10 y DHS035N10E+Especificación+Rev.1.0 (1).pdf
Módulo de medio puente 160A 650V IGBTMódulo DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
DGF25F65M
12N65/F12N65
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN MJD127 TO-252 MJD127 A-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
DHD10N65
MOSFET de SiC DCC016M120G3 TO-247 de 1200V/16mΩ/110A DCC016M120G3 A-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N07 A-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo medio puente 40A 1200V IGBTMódulo DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34mm 1200V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.pdf
Diodo de barrera Schottky 40A 200V MBR40200CT TO-3PN MBR40200CT A-3PN 200V 40A 英文版MBR40200CT技术规格书3PN.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
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F8N70
Diodo de recuperación rápida 30A 600V MUR3060 TO-220-2L MUR3060 TO-220C-2L 600V 30A 英文版 MUR3060 技术规格书.pdf
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