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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOSFET de potencia SIC de canal N de 18A 1200V DCC160M120G1 TO-247-3L

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad.
Disponibilidad:
Cantidad:

MOSFET de potencia SIC de canal N de 18 A y 1200 V


1 Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 


2 características 

● Mayor eficiencia del sistema 

● Requisitos de refrigeración reducidos

● Mayor densidad de energía 

● Mayor frecuencia de conmutación del sistema 


3 aplicaciones 

● Fuentes de alimentación. 

● Convertidores CC/CC de Alta Tensión.

● Accionamientos de motores. 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado

● Aplicaciones de energía pulsada


VDSS  RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN 
1200V 160mΩ 18A


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