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F20N50/20N50B
100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N A-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar DGC40H120M2 TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 40A 1200V DGC40H120M2 A-247 1200V 40A DGC40H120M2 - hoja de datos.pdf
100V/2.9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A PEAJE DSU035N10N3A PEAJE 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 85A 80V DH075N08 TO-220C DH075N08 A-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 68V DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 10A 700V D10N70 TO-252B D10N70 TO-252B 700V 10A 英文版D10N70技术规格书REV1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 15A 600V MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600V 15A 英文版MUR1560技术规格书(1).pdf
Diodo de recuperación rápida 10A 400V MUR1040CT TO-220C MUR1040CT A-220C 400V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
F7N70/B7N70/D7N70
F4N70/B4N70/D4N70
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N06 A-220C 60V 88A Especificación del dispositivo DH070N06(2).pdf
8N65/F8N65
F20N65
MOSFET D2N65 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 2A 650V D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 60V BAJA VF MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS A-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Transistor bipolar G50T65LBBW TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65LBBW A-247 650V 50A G50T65LBBW__hoja de datos(1)(1).pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Especificación del dispositivo DCC080M120A.pdf
Diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Especificación del dispositivo DCCT20D65G4.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 40V DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Dispositivo DHS020N04P Especificación Rev.2.0.pdf

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