未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia 20N65D TO-3P del modo de mejora del canal N de 20A 650V 20N65D A-3PN 650V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia 8N60 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 600V 8N60 A-220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 10A 100V MBR10100CT TO-220M MBR10100CT A-220M 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 200V MUR6020NCA TO-3PN MUR6020NCA A-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
MOSFET de potencia 8N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 500V 8N50 A-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET D9N65 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 9A 650V D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 100V DH10H037R TO-220C DH10H037R A-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H037R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10 TO-220C DHS046N10 A-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 130A 40V DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Especificación del dispositivo DH025N04.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A A-247 1200V 36A Especificación del dispositivo DCC080M120A.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 63A y 60 V DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 140 A y 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 12A 100V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Especificación del dispositivo DH1K1N10.pdf
MOSFET F12N60 TO-220F de potencia del modo de mejora del canal N de 12A 600V F12N60 TO-220F 600V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET D7509 TO-220C de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 75V D7509 A-220C 75V 80A Especificación del dispositivo D7509.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 A-220C 80V 180A Especificación del dispositivo DH8004 (2).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 60V DHS025N06E TO-263 DHS025N06E A-263 60V 180A Donghai_DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 40V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P Hoja de datos V3.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com