未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA A-263 200V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 40V DH033N04 TO-220C DH033N04 A-220C 40V 120A Especificación del dispositivo DH033N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 160A 30V DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificación del dispositivo DH020N03P.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 40V DHS021N04 TO-220C DHS021N04 A-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Hoja de datos+V3.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7808 TO-220M L7808 A-220M 8V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT TO-220F 100V 20A 英文版MBRF20100CT技术规格书REV1.0.pdf
85V/0.9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A PEAJE DSU011N08N3A PEAJE 85V 360A DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
transistor bipolar G50T65DS TO-247S de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65DS TO-247S 650V 50A hoja de datos.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 15A 100V DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Especificación del dispositivo DH850N10.pdf
Diodo de barrera Schottky de 40A 650V SiC DCC40D65G4 TO-247-3 DCC40D65G4 A-247 650V 40A Especificación del dispositivo DCC40D65G4.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA A-220C 85V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7809 TO-220M L7809 A-220M 9V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7805CV TO-220M L7805CV A-220M 5V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
diodo de barrera Schottky de 20A 650V SiC DCGT20D65G4 TO-220-2L DCGT20D65G4 A-220-2 650V 20A Especificación del dispositivo DCGT20D65G4.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04 TO-220C DH045N04 A-220C 40V 90A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 100V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 A-263 100V 170A DSG030N10N3 y DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia F20N50 del modo de mejora del canal N de 20A 500V F20N50 TO-220F 500V 20A 英文版F20N50技术规格书REV1.1.pdf
Módulo de medio puente 75A 650V módulo IGBT DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34mm 650V 75A DGA75H65M2T.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 200V MUR6020NCT TO-3PN MUR6020NCT A-3PN 200V 60A 英文版MUR6020NCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 21A 650V DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W A-247 650V 21A DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com