未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
Diodo de barrera Schottky 10A 45V MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 19A 80V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Especificación del dispositivo DH300N08.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 A-220C 60V 61A Especificación del dispositivo DH16N06.pdf
MOSFET F10N70 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 10A 700V F10N70 TO-220F 700V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
-30A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 240A 100V DHS025N10 TO-220C DHS025N10 A-220C 100V 240A Especificación del dispositivo DHS025N10.pdf
Diodo recuperación rápida 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT A-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET F7N70 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 7A 700V F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET de potencia DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C y TO-263 del modo de mejora del canal N de 120A 80V DSG047N08N3 A-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 100V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DHS010N04U de potencia de modo de mejora de canal N de 300A y 40 V DHS010N04U PEAJE 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia N6005/FN6005/EN6005 del modo de mejora del canal N de 210A 60V N6005 A-220C 60V 180A Especificación del dispositivo N6005B40.pdf
Transistor de silicio epitaxial NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 30A 60V DHZ24 TO-220C DHZ24 A-220C 60V 30A Especificación del dispositivo DHZ24B31.pdf
diodo de barrera Schottky de 6A 650V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
transistor bipolar DGF30F65M2 TO-220F de la puerta aislada Trenchstop de 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F 650V 30A DGF30F65M2__datasheet.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 18A 100V DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Especificación.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 A-220C 650V 17A Especificación del dispositivo DHSJ17N65.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS A-3PN 300V 60A 英文版MUR6030NCS技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com