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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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18A 200V Modo de mejora del canal Potencia MOSFET DH640 TO-220C Dh640 A 220c 200V 18A Dispositivo 640 Especificación.PDF
40V/5.5MΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA A 252b 40V 82a DSD065N04LA_DATASHEETE_V1.0.PDF
40A 1200V N-canal SIC MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C To-247 1200V 40A Dispositivo DCC075M120G2C Especificación.PDF
9A 650V N-Canal Modo de mejora MOSFET D9N65 a 252B D9N65 A 252b 650V 9A 英文版 D9N65 技术规格书 (1) .pdf
F6N90 a 220F F6N90 A 220F 900V 6A 英文版 f6n90 技术规格书 .pdf
 D7N60 a 252B D7N60 A 252b 600V 7A 英文版 D7N60 技术规格书 .pdf
 DSG070N10L3 TO20 DSG070N10L3 A 220c 100V 100A Dsg070n10l3_dataSteet_v1.0+.pdf
12a 100V MODO DE ENCANTA MODIA DE MEDIA DEL CANNO MOSFET B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
200a 40V N-canal Modo de mejora MOSFET D1404/FD1404/ED1404
Schottkybarrierdiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT To-247 100V 60A 英文版 MBR60100BCT 技术规格书 .pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B A 3pn 200V 10A 英文版 D92-02B 技术规格书 3pn.pdf
25a 100V Modo de mejora del canal MOSFET 25N10 TO-220C 25n10 A 220c 100V 25A Dispositivo 25N10 Especificación.PDF
60A 600V Diodo de recuperación rápida MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT A 3pn 600V 60A 英文版 Mur6060nct 技术规格书 .pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 A 220c 100V 140A DSG054N10N3 y DSE054N10N3_DATAYATE_V1.0.PDF
8A 600V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 A 220F 600V 8A 英文版 f8n60 技术规格书 .pdf
30A 200V Schottkybarrierdiode HMBR30200CT a 220C HMBR30200CT A 220c 200V 30A 英文版 HMBR30200CT 技术规格书 .pdf
60A 200V Schottkybarrierdiode MBR60200CT a 220C MBR60200CT A 220c 200V 60A 英文版 MBR60200CT 技术规格书 .pdf
174A 85V Modo de mejora del canal MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E A 263 85V 174a Dispositivo DHS030N88 Especificación.PDF
800A 1200V Módulo de medio puente Igbtmodule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62 mm 1200V 800A DGB800H120L2T.PDF

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