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Diodo de recuperación rápida 80A 300V MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT A-3PN 300V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 110A 60V DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 60V MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 20A 100V DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 100 V DHS065N10 A-220C 100V 95A Dispositivo+DHS065N10+Especificación+Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia DTG025N04NA TO-220C del modo de mejora del canal N de 220A 40V DTG025N04NA A-220C 40V 220A Dispositivo DTE025N04NA y DTG025N04NA Especificación Rev.1.0.pdf
12N60/F12N60/E12N60
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 30V DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Dispositivo DH500P06R Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de SiC de 1200V/16mΩ/110A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
Diodo de barrera Schottky 40A 100V MBR40100CT TO-220C MBR40100CT A-220C 100V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia 14N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 14A 650V 14N65 A-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
MOSFET de potencia 18N50D TO-3PN del modo de mejora del canal N de 18A 500V 18N50D A-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
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