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Diodo de recuperación rápida 10A 600V MUR1060 TO-220-2L MUR1060 TO-220-2L 600V 10A 英文版MUR1060技术规格书REV1.1.pdf
840/F840/I840/E840/B840/D840
740/F740/I740/E740/B740/D740
 Diodo de recuperación rápida 16A 200V MUR1620CT TO-220C MUR1620CT TO-220C 200V 16A 英文版MUR1620CT技术规格书(1).pdf
DGC75C120M2T
G50T65LBBW
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 30V DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Especificación del dispositivo DHP150N03(1).pdf
G50T65LBBW
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 98V DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DH90N045RSM2.pdf
DGF25F65M
Diodo de recuperación rápida 20A 400V MUR20FU40CT TO-220C MUR20FU40CT TO-220C 400V 20A 英文版MUR20FU40CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC75F65M
DGC75F120M2
Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
G20T65D
MOSFET de potencia D18N20 TO-252B del modo de mejora del canal N de 18A 200V D18N20 TO-252B 200V 18A Dispositivo D18N20 Especificación Rev.1.0.pdf
10N60/F10N60/E10N60
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A DSD190N10L3 y DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar DGC40F120M2 TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 40A 1200V DGC40F120M2 A-247 1200V 40A DGC40F120M2 - hoja de datos-20230621.pdf

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