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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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96A 40V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P Dfn5x6 40V 96a Dh033n04p+_dataSheet_v1.0.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA A 263 150V 150a Donghai+DSE058N15NA+Hoja de datos+v2.0.pdf
50A 150V Modo de mejora del canal MOSFET DH50N15 a 220C Dh50n15 A 220c 150V 50A Dispositivo DH50N15 Especificación.PDF
180A 135V MODANCO DE MEDIA DE MODANCIACIÓN DEL CANNO MOSFET DSG052N14N A 220c 135V 180A DSE050N14N & DSG052N14N_DATASHEETE_V2.0 (1) .pdf
MBRF40R60CT TO-220F MBRF40R60CT
100V/12MΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 A 252b 100V 60A DSD150N10L3 y DSB150N10L3_DataSheet_v1.0.pdf
Módulo de inversor NPC de 3 niveles Módulo IGBT DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Asignación 650V 270a DGQ450C65M2T-REV1.5.PDF
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
MURF1660CT TO-220F MURF1660CT A 220F 600V 16A 英文版 MURF1660CT 技术规格书 Rev1.1.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 Dfn5x6 -40V -50a Dispositivo DHP50P04 Especificación (DFN56) (1) .pdf
8n65 a 220c 8n65
Paquete de peaje DSU047N15NA DSU047N15NA
18A 500V Modo de mejora del canal MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 A 220c 500V 18A 英文版 18N50 技术规格书 .pdf
130A 85V Modo de mejora del canal MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA Dfn5x6 85V 130A Dsp038n08na_dataSheet_v1.0.pdf
2A 600V N-Channe Modo de mejora de potencia MOSFET F2N60 TO-220F F2n60 A 220F 600V 2A
59A 100V Modo de mejora del canal MOSFET 60N10 TO-220C 60n10 A 220c 100V 59A Dispositivo 60N10B76 Especificación (1) .pdf
Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R A 220c 100V 120a Dispositivo DH10H035R Especificación.PDF
5A 500V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET B5N50 TO-251B B5N50 A 251b 500V 5A Dispositivo D5N50 y B5N50 Especificación.PDF
20A 600V Modo de mejora del canal Potencia MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 A 220F 600V 20A 英文版 f20n60 技术规格书 (1) .pdf
20A 100V Schottkybarrierdiode MBRF20100CT TO-220F MBRF20100CT A 220F 100V 20A 英文版 MBRF20100CT 技术规格书 Rev1.0.pdf

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