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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 110A 85V DHS055N85 TO-220C DHS055N85 A-220C 85V 110A Especificación del dispositivo DHS055N85.pdf
PEAJE N-MOSFET de 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 PEAJE 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT A-3PN 600V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 20A 200V MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 45V BAJA VF MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS A-220C 45V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 85V DHS020N88 TO-220C DHS020N88 A-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Dispositivo DH100N03 B13 Especificación.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 112A 68V DH100N06 TO-220C DH100N06 A-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
Transistor bipolar de puerta aislada 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D A-3PN 650V 60A Especificación del dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B A-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
MOSFET de potencia 7N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 7A 650V 7N65 A-220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia 15N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 15A 650V 15N65 A-220C 650V 15A
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 68V DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 A-220C 60V 60A Especificación del dispositivo DH60N06+.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 110A 60V DH066N06E TO-263 DH066N06E A-263 60V 110A Dispositivo+DH066N06+Especificación+Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia 23N50D TO-3P del modo de mejora del canal N de 23A 500V 23N50D A-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET de potencia B4N60 del modo de mejora del canal N de 4A 600V B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Módulo medio puente 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
MOSFET de potencia D7N70 TO-252B del modo de mejora del canal N de 7A 700V D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

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