未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
80A 300V nopea palautusdiodi MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT TO-3PN 300V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
120A 98V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Laite DHS046N10 Specification.pdf
500V/4A puolisilta IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
110A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
20A 60V SchottkyBarrierDiode MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
20A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
100A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS065N10 -220C 100V 95A Laite+DHS065N10+Specification+Rev.2.0.pdf
220A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA -220C 40V 220A Laite DTE025N04NA&DTG025N04NA Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
12N60/F12N60/E12N60
170A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Laite DH500P06R Specification Rev.1.0.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT -220C 100V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
14A 650V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 -220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Laitteen DH8004 tekniset tiedot (2).pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com