未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
110A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 -220C 85V 110A Laite DHS055N85 Specification.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET TULL DSU023N10N3 TOLL 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
10A 700V pikapalautusdiodi MUR1070 TO-220-2L MUR 1070 TO-220-2L 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
40A 600V nopea palautusdiodi MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS -220C 45V 30A 英文版MBR30R45CTS-sarja技术规格书.pdf
180A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 -220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Laite DH100N03 B13 Specification.pdf
112A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 -220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
60A 650V eristetty portti bipolaaritransistori G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60A Laitteen DHG60T65D tekniset tiedot(TO-3PN)Rev1.2.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
7A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 -220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 -220C 650V 15A
60A 68V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 -220C 60V 60A Laite DH60N06 Tekniset tiedot+.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Laite+DH066N06+Specification+Rev.2.0.pdf
23A 500V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
600A 1200V puolisiltamoduuli DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com