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diodo de barreira sic Schottky DCC20D120G4 TO-247-3 de 20A 1200V DCC20D120G4 PARA-247 1200 V 20A Especificação do dispositivo DCC20D120G4.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
11A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Especificação(S) do dispositivo DHSJ11N65.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop DGC75F65M TO-247-3L de 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L 650 V 75A folha de dados-Rev1.1(2).pdf
Pacote de pedágio 135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 DSU035N14N3 PEDÁGIO 135V 225A DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200 V 40A 英文版MUR4020NCT-XCB技术规格书Rev. 1.0.pdf
25A 1200V transistor bipolar de porta isolada G25T120D TO-247 G25T120D PARA-247 1200 V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
12A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
MOSFET de potência de super junção de canal N 31A 600V DJC099N60F/DJF099N60F
Regulador de tensão de três terminais IC L7818 TO-220M L7818 PARA-220M 18V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7824 TO-220M L7824 PARA-220M 24V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
68A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-220M MBR20100CT PARA-220M 100V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET de potência de super junção de canal N 12A 700V DJF360N70
Diodo de recuperação rápida 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600 V 20A 英文版MUR2060A技术规格书（2L）.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Especificação do dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Diodo de barreira Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT PARA-252B 100V 30A 英文版MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
42A 600V canal N Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F PARA-247 600 V 42A Especificação do dispositivo DJC070N60F.pdf
145A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D PARA-252B 30V 145A Especificação do dispositivo DH028N03.pdf
50A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar G50T65D TO-3PN da porta G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

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