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11A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Especificação(S) do dispositivo DHSJ11N65.pdf
120A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Especificação do dispositivo DHS045N85-Rev.2.0.pdf
-10A -40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V POP-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+Especificação.pdf
150A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E PARA-263 150 V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
81A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Especificação do dispositivo DH060N08.pdf
100A 70V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
MOSFET de potência de super junção de canal N 31A 600V DJC099N60F/DJF099N60F
120A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Dispositivo+DH065N06+Especificação+Rev.2.0.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 10A 650V DCD10D65G4 PARA-252B 650 V 10A Especificação do dispositivo DCD10D65G4.pdf
diodo de barreira DCGT08D65G4 TO-220-2L de 8A 650V SiC Schottky DCGT08D65G4 TO-220-2L 650 V 8A Especificação do dispositivo DCGT08D65G4.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 100A 85V DH050N85/DH050N85E
4A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET de potência de super junção de canal N 12A 700V DJF360N70
20A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar DGE20F65M2 TO-263 da porta DGE20F65M2 PARA-263 650 V 20A folha de dados.pdf
-6A -100V Modo de aprimoramento de canal P Potência MOSFET DH100P18V SOP-8 DH100P18V POP-8 -100V -6A DH100P18V_Datasheet_V1.0.pdf
120A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA PARA-263 40V 120A Dispositivo+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7812 TO-220M L7812 PARA-220M 12V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
70A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DATP057N06N DFN5 * 6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238A Especificação do dispositivo DH026N06.pdf
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D PARA-252B -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P28.pdf

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