portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
Diodo de recuperação rápida 80A 300V MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT TO-3PN 300V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
120A 98V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D PARA-252B 98V 120A Especificação do dispositivo DHS046N10.pdf
500V/4A meia ponte IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POP-11 500 V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
110A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D PARA-252B 60 V 110A Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
20A 60V SchottkyBarrierDiode MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60 V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
20A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D PARA-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0.pdf
100A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência DHS065N10 TO-220C 100V 95A Dispositivo+DHS065N10+Especificação+Rev.2.0.pdf
220A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Especificação do dispositivo DTE025N04NA e DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
12N60/F12N60/E12N60
170A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
 Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3 * 3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V 12A Especificação do dispositivo DH500P06R Rev.1.0.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
14A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 PARA-263 80V 180A Especificação do dispositivo DH8004 (2).pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E PARA-263 100V 110A Especificação do dispositivo DHS052N10.pdf

Vídeo do produto

  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada