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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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110A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Especificação do dispositivo DHS055N85.pdf
PEDÁGIO N-MOSFET 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 PEDÁGIO 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diodo de recuperação rápida 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
180A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 PARA-252B 30V 100A Especificação do dispositivo DH100N03 B13.pdf
112A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
60A 650V transistor bipolar de porta isolada G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60A Especificação do dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B PARA-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
7A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60V 60A Especificação do dispositivo DH60N06+.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E PARA-263 60V 110A Dispositivo+DH066N06+Especificação+Rev.2.0.pdf
23A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Módulo meia ponte 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200 V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 PARA-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

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