portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
20A 200V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT PARA-220C 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D PARA-252B 40V 80A Especificação do dispositivo DH065N04.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 PARA-247PLUS 1200 V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 PARA-252B 60 V 12A Especificação do dispositivo D12N06 (TO-252B).pdf
Pacote de pedágio de potência MOSFET DHS020N88U de modo de aprimoramento de canal N 240A 85V DHS020N88U PEDÁGIO 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 PARA-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15A 40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 PARA-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 PARA-247 1200 V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E PARA-263 85V 205A Especificação do dispositivo DHS025N88.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 25A 1700V DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700 V 25A Especificação do dispositivo DCCT25D170G1.pdf
18A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650 V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 PARA-220C 40V 155A Especificação do dispositivo DH035N04.pdf
 REGULADORES DE TENSÃO POSITIVA 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2mA 英文版78LXX技术规格书(78L系列).pdf
40mΩ 650V canal N SiC Power MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650 V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
 Potência de super junção de canal N MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 PARA-252B 650 V 7A Especificação do dispositivo DHDSJ7N65 e DHBSJ7N65.doc.pdf
10A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf

Vídeo do produto

  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada