未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Wszystkie produkty

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
18A 200 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DH640 TO-220C DH640 To-220C 200 V. 18a Device 640 Specyfikacja.pdf
40 V/5,5 MΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40v 82a DSD065N04LA_DATASHEET_V1.0.PDF
40A 1200V N-Kanałowa Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V. 40a Urządzenie DCC075M120G2C Specyfikacja. PDF
9A 650 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V. 9a 英文版 D9N65 技术规格书 (1) .pdf
F6N90 TO-220F F6N90 Do-220f 900 V. 6a 英文版 F6N90 技术规格书 .pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600V 7a 英文版 D7N60 技术规格书 .pdf
DSG070N10L3 do-220 DSG070N10L3 To-220C 100 V. 100a DSG070N10L3_DATASHEET_V1.0+.PDF
12A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFETU TRYB ULUBIONEK ODPOWIEDZENIA 2000V D1404/FD1404/ED1404
SCHOTTKYBARRIERDIODE MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100 V. 60a 英文版 MBR60100BCT 技术规格书 .pdf
D92-02b do-3pn D92-02b TO-3PN 200 V. 10a 英文版 D92-02b 技术规格书 3pn.pdf
25A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 25N10 TO-220C 25n10 To-220C 100 V. 25a Urządzenie 25N10 Specyfikacja.pdf
60A 600V Dioda szybkiego odzyskiwania MU6060NCT TO-3PN Mur6060nct TO-3PN 600V 60a 英文版 Mur6060nct 技术规格书 .pdf
100V 140A N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 To-220C 100 V. 140a DSG054N10N3 i DSE054N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF
8A 600 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 Do-220f 600V 8a 英文版 f8n60 技术规格书 .pdf
30a 200v Schottkybardiode HMBR30200CT do-220c HMBR30200CT To-220C 200 V. 30a 英文版 HMBR30200CT 技术规格书 .pdf
60A 200V Schottkybardiode MBR60200CT do-220c MBR60200CT To-220C 200 V. 60a 英文版 MBR60200CT 技术规格书 .pdf
174A 85 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E To-263 85 V. 174a Urządzenie DHS030N88 Specyfikacja.pdf
800A 1200V Half Bridge Moduł IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62 mm 1200 V. 800a DGB800H120L2T.PDF

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com