未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Urządzenie+DATD063N06N+Specyfikacja Rev.1.0.pdf
50A 650V Moduł półmostkowy DGA50H65M2T 34 mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specyfikacja urządzenia DHS110N15 Rev.1.0.pdf
25A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specyfikacja urządzenia DH100P25.pdf
100A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_Arkusz danych_V2.0.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
47A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specyfikacja urządzenia DHS180N10L.pdf
150A 1200V Moduł półmostkowy DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V Moduł półmostkowy IGBTModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200 V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCE10D65G4.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Specyfikacja urządzenia DH045N06.pdf
50A 1200V PIM w jednym pakiecie Moduł IGBT DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200 V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 60 A, 20 V DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A Wersja MUR6020BCA 技术规格书Rev. 1.1.pdf
Moduł półmostkowy IGBT 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700 V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Specyfikacja urządzenia DH045N04.pdf
13A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specyfikacja urządzenia DHSJ13N65.pdf
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com