未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
10A 45V Schottky'egoDioda barierowa MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
19A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Specyfikacja urządzenia DH300N08.pdf
61A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Specyfikacja urządzenia DH16N06.pdf
10A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A Donghai_DH400P06LD i DH400P06LB_Arkusz danych_V2.0.pdf
240A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specyfikacja urządzenia DHS025N10.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400 V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C i TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
300A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS010N04U PAKIET OPŁAT DHS010N04U MYTO 40 V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
210A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Specyfikacja urządzenia N6005B40.pdf
Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 13003G5 TO-126 13003G5
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 6A 650 V SiC DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
30A 650V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650 V 30A DGF30F65M2__karta katalogowa.pdf
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
17A 650 V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specyfikacja urządzenia DHSJ17N65.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 300V MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300 V 60A Plik MUR6030NCS 技术规格书.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com